シンギュラリティと大失業時代 その4 技術革新 グラフェンシートが半導体の歴史を変える

現在、半導体(IC)チップというのはシリコン状のシートを何層にも重ねて作っています。バウムクーヘンみたいなものですね。
感光性の物質を塗布した物質の表面をパターン状に露光させるフォトリソグラフィという技術で、20億層近く重ねて作っています。
この方法には欠点があって、熱を持ちやすいことです。
高熱になると危険であると同時に、半導体が損傷してしまうため技術的に限界を迎えています。

では、半導体チップの技術革新はあるのか? というと既に代替技術に目処はついています。
ナノグラフェンチップといわれるもので、これはナノテクノロジーによって、ナノサイズ(十億分の一)のグラフェンシートを作る技術です。
熱も出ず、その薄さは炭素原子1個分です。

究極の薄さですね。

グラフェンは炭素原子とその結合からできた蜂の巣のような六角形格子構造をとっていて、その由来はグラファイト(黒鉛)と「ENE」からです。
グラファイト自体もグラフェンシートが多数積み重なってできています。
炭素は電気を通し、結合の仕方によってはダイヤモンドの硬度を持つ他、鉛筆の芯のように脆くもできます。

ここで驚くべきことは、その可能性です。
グラフェンの炭素間結合距離は約0.142nmです。
1nm()は100億分の1メートルなので、大きさを比較すると、例えばクレジットカードについている1cm四方のICチップであれば、たった1層だけで1兆個収まることになります。

これを現在の三次元積層で重ねるとどうなるか?
単純に20億層であれば20億×1兆個です。20億層重ねてもまだまだペラペラです。
いったい何層重ねられるのか?

ここまで来るとムーアの法則にある2年で倍になるという法則は加速します。
倍どころか一気に数千倍になるかもしれません。

続く。

【引用元 goo

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